N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T2563NH
BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller 1/7
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak and reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max V
RRM 7500 8000 V
V
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = 0°C... Tvj max V
RRM 7700 8200 V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM 5600 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM 2560
3570
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM 63000
56000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 19800
15700
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Tvj = 50°C, VD VBO, iT 10kA,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs (diT/dt)cr 5000 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
(dvD/dt)cr 2000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Schutzzündspannung (statisch)
Protective break over voltage
Tvj = 0°C … Tvj max V
BO min. 7500 V
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 6000A, vD = 200V
vT
typ.
max.
2,75
2,95
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
max.
1,23
1,28
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T typ.
max.
0,253
0,278
m
m
A -0,00607
B 0,000181
C 0,162
typ.
D 0,00342
A -0,00503
B 0,000187
C 0,160
Durchlaßkennlinie on-state characteristic
Tvj = Tvj max
max.
D 0,00570
minimale Zündlichtleistung
minimum gate trigger light power
Tvj = 25°C, vD = 200V IGT max.
40 mW
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C IH max. 100 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = V,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
IL max. 1 A
Rückwärts-Sperrstrom
reverse blocking current
Tvj = Tvj max
vR = VRRM
iR max. 900 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, vD = 1000V ,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
tgd max. 5 µs
prepared by: J. Przybilla date of publication: 24.07.03
approved by: R. Keller revision: 7
T
TTT iD)1i(LnCiBAv ++++=
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
tq
typ. 550 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
max. 22 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
max. 400 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,0046
0,0043
0,0075
0,0100
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,001
0,002
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 120 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+120 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F 90...130 kN
Gewicht
weight
G typ. 4000 g
Kriechstrecke
creepage distance
49 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Maßbild
1 2
4.1
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4.1: Gate
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R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,00183 0,00132 0,00075 0,00038 0,00002
beidseitig
two-sided τn [s] 1,9 0,3 0,065 0,011 0,003
Rthn [°C/W] 0,00465 0,00052 0,00157 0,00054 0,00022
anodenseitg
anode-sided τn [s] 7,5 0,85 0,225 0,029 0,0075
Rthn [°C/W] 0,00715 0,00052 0,00157 0,00054 0,00022
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 10,2 0,85 0,225 0,029 0,0075
Analytische Funktion / Analytical function: Σ
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
0
0,002
0,004
0,006
0,008
0,01
0,012
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s ]
Zth JC [K/W]
c
a
d
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
vT [V ]
iT [V]
typ . m a x.
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Phase Control Thyristor
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beidseitig
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 5 10 15 20 25 30 35
-d i/d t [A s ]
Qr [mAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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Ta bei Sinus
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs ]
IRM
[A]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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