Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPM silicon transistors Epitaxial planar *2N 929 *2N 930 - Amplification BF petits signaux (faible bruit) LF small signal amplification (low noise) Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot, (w 06-~ t 0.4} IN - (2) WY i] % Dispositif recommand Pretered device Donnes principales Principal features VcEo 45 Vv ho4 (10 na) { 40 - 120 2N 929 100 - 300 2N 930 F { 4dB max. 2N 929 3dB max. 2N 930 Boitier TO-18 Case Or o- i ! i Nn tamb(c) (1) i oL_t teaseC! (2) 0 50 loo = 150 200 Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamhp=25C | . Absolute ratings (limiting values) (Sauf indications contraires) (Unless otherwise specified) Tension collecteur-base V, 45 Collector-base voltage cBO v Tension collecteur-metteur V, Collector-emitter voltage CEO 45 v Tension metteur-base Vv 5 Emitter-base voltage EBO Vv Courant collecteur lo 30 mA Collector current Dissipation de puissance tamb =25C (1) P 0,3 Ww Pi dissipeti Tore mil ower dissipation Tease =25C (2) 06 Temprature de jonction Juncvion tempersture max. 175 c Temprature de stockage min. t 65 c Storage temperature max. +200 et. Sesweseny 1970-08 1/62N 929 * 2N 930 * Caractristiques gnrales a tambh = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics { Sauf indications contraires ) (Unless otherwise specitied) Paundtn Conditions de mesare Min. | Typ. | Max. Parameter | Tet condition Min... | Typ. |. Max. Courant rsiduel collecteur-base le 0 logo 10 nA Collector-base cut-off current Vop 45 V Vee 0 Vege = 45V 0,25; 10 nA t. Courant rsiduel collecteur-metteur amb = _25C Ices Collector-emitter cut-off current VBE = 0 " Voce = 46 V 0,25 | 10 LA. tease = 170C Courant rsiduel collecteur-metteur ip = 0 IceG 0,1 2 nA Collector-emitter cut-off current Vee = 5V Courant rsidue! metteur-base ic = 0 leBo 0,1 | 10 | nA Emitter-base cut-off current Veg 5V . Tension de claquage collecteur-metteur Ip = 0 VB RICED 45 Vv Collector-emitter breakdown voltage lo = 10mA = 10yA c 5 y 40 120 CE 1 = ec 500HA | ong29 | hae | 60 | 150 ce = 5V t = 10mA Cc hoe 200 | 350 Voge = 5V 21E Valeur statique du rapport du transfert Ic = 10 nA 100 300 direct du courant Vog = 5V Static forward current transfer ratio 5 hoy E I = 500 pA " c # | 2N 930 = 150) 300 Voce SV I = 10mA Cc hoae* = 300 | 600 Vee = 5V 21E Ic = 10#A | on g2a 10 Vee = 5V hare tamb = ~b5C 2N 930 20 Tension de saturation collecteur-metteur Ic = 10mA Vegcatt Collector-emitter saturation voltage pg = 0,5mA CEsat 0,25 1 v : ; | = 10mA Tension de saturation base-metteur c Vv + Base-emitter saturation voltage ig = O05 mA BEsat 0,6 1 Vv *Impulsions t =300us 8 < 2% Pulsed Pp 2/6*2N 929 *2N 930 Caractristiques gnrales @ tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics {for small signals} l Rapport de transfert direct d c h 60 350 Forward current transfer ratio courant Voce =5V 2te f = TkHe 2N 930 150 600 ( = 1mA E Impdance dentre = h 5 inadance dent vce 7 ; va 11b 2 32 2 = z Rapport de transfert inverse e = ay h 2 la tension = ; Inverse voltage transfer ratio OB = 1kHz 12b 6 10-4 ! = ITmA Admittance de sortie E t Output edmittance Vop = 5Y 2b ' us = 1kHz lo = 0,5 mA Frquence de transition = f. Transition frequency Voce SO Me T 30 180 MHz = z Capacit de sortie V, =5V Output capacitance i =0 Co9b 3 8 pF I = 10yuA Cosy 2N 929 3,5 CE ~ Rg = 10k f = 80Hz Af = 20Hz 2N 930 2,5 Facteur de bruit F dB Noise figure lo = ae 2N 929 1,9| 4 Voce = Rg = 10k2 10 Hz<f<15,7 kHz | 2N 930 18; 3 3/62N 929 * 2N 930 * Caractristiques statiques Static characteristics "21 1000 100 2N 929 10 0,001 0,01 0,1 1,0 10 1 le (mA) oie 1000 100 2N $30 0,001 0,01 0,1 1,0 10 } le (ma) 4/6*2N 929 *2N 930 Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals} "216 1000 100 2N 929 Vog =5V f = 1kHz 10 0,01 0,1 1,0 10 100 Io (mA) ho4e 1000 100 2N 930 Voce =5 f =1kHz 10 0,01 0,1 1,0 10 100 Iq ima) 5/62N 929* 2N 930* Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (far small signals) 2N 929 Vog =5V Hz <f < 15,7 kHz 12 5 10 100 igual 2N 930 Rolko) 10 5 2 } Vee =5V 0,1 (tO Hz <t< 15,7 kHz 1 2 5 10 1 Igtual 6/6