NPN sILICON TRANSISTORS, HOMOBASES TRANSISTORS NPN SILICIUM, HOMOBASES 2N 3441 compl. of BDX 16 *2N 3441 *BDY 72 - LF large signal power amplification Amplification BF grands signaux de puissance - High current switching Commutation fort courant Dissipation derating Variation de dissipation \ 100 % IN oF Preferred device Dispositif recommand V 140 Vs 2N 3441 cEO {120 Vv BDY 72 lo 3A Prot 25W Reh(j-c) 7?C/iW max. h 20-80 2N 3441 21E (0,5 ate - 180 BDY 72 fy 0,8 MHz min. Case TO-66 See outline drawing CB-72 on tast pages Boitier Voir dessin cot CB-72 dernidres pages Bottom view Vue de dessous 75 \ E a 50 Oo - Oo | 25 . B 0 Weight : 6.4 g. Collector is connected to case 50 100 150 to. elo) Masse Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated} VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Saut indications contraires) 2N 3441 BDY 72 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cBO 160 150 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur cEO 140 120 v Collector-emitter voltage Roe =1002 Vv Tension collecteur-metteur BE 9 CER 150 130 v Collector-emitter voltage Voce =1,5 V Vv Tension collecteur-metteur BE cEX 160 150 v Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 7 7 Vv Collector current { Courant collecteur c 3 3 A Peak collector current t= I Courant de crte de collecteur p is cM 4 4 A Base current I Courant base B 2 2 A Power dissipation 95 P. Dissipation de puissance tcase = 25C tot 25 25 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max J 200 200 c Storage temperature min t 65 65 G Temprature de stockage max sta +200 +200 C 73-12 W7 THOMSON - CSF DIVISION, SEMICONDUCTEURS Secsmsenn 303*2N 3441, BDY 72 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Uniess otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Saut indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vac =140V CE Vag =18V 1 mA 2N 3441 Veg = 140 Vv Vpe = 15 V 5 mA tease = 150C Collector-emitter cut-off current loex Courant rsiduel collecteur-metteur Vag = 130 V cE 1 Vag =15V ma BDY 72 Vee = 130 V Vee =-! 5V 5 mA tease = 150C Emitter-base cut-off current Ven =7V Courant rsiduel metieur-base lo =0 'eBO 1 mA Collector-emittes breakdown voltage Ig = 100mA VipR)CEO x) 2N 3444) 140 Vv Tension de claquage collecteur-metteur ip = BDY 72 120 Collector-emitter breakdown voltage | ! =100mA v | 2N 3441! 150 y Tension de claquage collecteur-metteur Ree = 100 2 (BRICER BDY 72 130 Collector-emitter breakdown voltage | I, =100mA v | 2N 3441, 160 Vv Tension de claquage colfecteur-metteur Vv BE = -1,5V (BR)CEX BDY 72 150 Static forward current transfer ratio Vv cE = 4v h 2N 3441 20 80 y Valeur statique du rapport de transfert 21E direct du courant le = O5A BDY 72 60 180 Collector-emitter saturation voltage Ip =O5A V 1 Vv Tension de saturation collecteur-metteur lh = 0,05 A CEsat Base-emitter voltage Veg =4 Vv Vee 1,7 Vv Tension base-metteur lo =0,5A * Pulsed ty = 300 us 8<2% impuisions 2/7 304*2N 3441, *BDY 72 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Sauf indications contraires} Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition frequency Vog =10V fr BDY 72 08 MHz Frquence de transition lo =0,2A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rang Rsistance thermique (jonction-boitier) thij-<) ? cw SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit Continuous Pulsed impulsions 1 2 5 10 20 50 100 200 500 Vo_lV) 3/7 305*2N 3441, *BDY 72 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE Courant callecteur en fonction de la tension |, ollecteur-metteur (A) |2N 1 08 06 0,4 0,2 iv} COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant callecteur en fonction de fa tension ' collecteur-metteur [o a) 72 wa 0,8 0,6 0,4 0,2 (v) ce COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension {_. Cofecteur-metteur c (mA) 2N 160 120 Ig =0 0 40 80 120 160 Vogtv) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension I collecteur-metteur Cc (ma) BDY 72 80 60 20 \,=0 0 40 80 120 160 vov) 4/7 306*2N 3441, *BDY 72 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE (minimum value) Tension coliecteur-metteur en fonction de la Vog rsistance base-metteur (valeur minimum} (v) Io =100mA = 25C 150 140 130 120 110 (Q) STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du Valeur statique du rapport de transfert direct du hoy E courant en fonction du courant collecteur h. 21E courant en fonction du courant collecteur 2N 3441 - _ Voge =4V Voge s=4V 60 A Y| r 150 50 gery \ = 100 NY ger tls 9 30 3 \ 20 50 10 AN 0 0 2 468 2 468 2 46 2 10? 107! 10 Ig(Al 10 5/7 307*2N 3441, *BDY 72 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- metteur 2N Vee =H4v 1,5 VegelY) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Voesat fonction du courant collecteur (v) 'C 40 Ig 2N 3441 1,6 1,2 0,8 0,4 0 2? 468 2 4682 46 10 10 10 lota) 107 COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant coflecteur en fonction de fa tension base-metteur Cc (A) g 1 av Vee=f{iov ee. 04 O06 o8 1 1,2 Vpe(v) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en VpeEsat fonction du courant collecteur (v} C19 \B 3441 16 1,2 0,8 0,4 2 468 2 102 10! 10 468 Ig (A) 6/7 308*2N 3441, *BDY 72 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la Cc tension collecteur-base 22b (pF) 10! 2 4 6 TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du f courant collecteur Vv, =10 (MHz 2,5 Vogt) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime dimpulsions 2.5 2 5 2 5 1071 10 tplsec) 2 2 5 5 25 10 104 10 107 309