AF transistors (Continued) Type Group | Structure | Fig. Maximum ratings Characteristics Nr | Prot at famp = +45C Hic | Uceo |ft at Io | fre at Ic and Uce |F at sf Ww mA Vv MHz |mA mA Vv dB kHz BC 635 NPN 4 |1,0 1000 | 45 50 50 40-250 150 |2 - - BC 636 PNP 4 1,0) 1000 | 45 50 50 40-250 150 |2 - - BC 637 NPN 4 1,0) 1000 | 60 50 50 40-160 150 {2 - - BC 638 PNP 4 1,0) 1000 |60 50 50 40-160 150 |2 - - BC 639 NPN 4 1,0) 1000 | 80 50 50 40-160 150 (2 - - BC 640 PNP 4 1,0) 1000 | 80 50 50 40-160 150 |2 - - BCW 60 A NPN 5 0,15 200 | 32 250 | 10 120-220 2 5 =6 1) B NPN 5 0,15 200 | 32 250 | 10 180-310 2 5 <6 1) Cc NPN 5 0,15 200 | 32 250 | 10 250-460 2 5 <6 17) D NPN 5 0,15 200 | 32 250 |10 380-630 2 5 =6 1) BCW 61 A PNP 5 0,15 200 | 32 150 |1 120-220 2 5 =6 1) B PNP 5 0;15 200 | 32 150 t 180-310 2 5 <6 1) (o PNP 5 0,15 200 |32 150 1 250-460 2 5 <6 1) D PNP 5 0,15 200 | 32 150 (| 1 380-630 2 5 =6 ie) BCX 70 G NPN 5 0,15 200 | 45 250 ~=+| 10 120-220 2 5 <6 1) H NPN 5 0,15 200 | 45 250 |10 180-310 2 5 a) 1) J NPN 5 0,15 200 =| 45 250 |10 250-460 2 5 <6 1) K NPN 5 0,15 200 =|45 250 10 380-630 2 5 =6 1) BCX 71 G PNP 5 0,15 200 | 45 150 1 120~220 2 5 =6 1) H PNP 5 0,15 200 |45 150 1/14 180-310 2 5 <6 1) J PNP 5 0,15 200 | 45 150 1 250-460 2 5 =6 17) K PNP 5 O15 200 |45 150 /14 380-630 2 5 <6 1) BCY 58 Vi NPN 1 0,35 200 |32 250 10 120-220 2 5 <6 1) Vu NPN 1 0,35 200 |32 250 {10 180-310 2 5 <6 1) Ix NPN 1 0,35 200 1/32 250 |10 250-460 2 5 <6 1) Xx NPN 1 0,35 200 =|32 250 |10 380-630 2 5 <6 1) BCY 590 | VII NPN 1 0,35 200 |45 250 |10 120-220 2 5 <6 1) vill NPN 1 0,35 200 |45 250 |10 180-310 2 5 <6 1) ix NPN 1 0,35 200 |45 250 |10 250-460 2 5 <6 1) x NPN 1 0,35 200 |45 250 {10 380-630 2 5 <6 1) BCY 72 PNP 1 0,31 200) | 25 = 200 | 10 = 50 10 1 =6 0,01-10 BCY77 | Vil PNP 1 1 100 |60 200 | 10 120-220 2 5 <6 1?) VIM PNP 1 1 100 {60 200 |10 180-310 2 5 <6 1) IX PNP 1 1 100 |60 200 |10 250-460 2 5 <6 1) BCY 78 7 PNP 1 0,31 200 | 32 200 10 120-220 2 5 =6 1) Vill PNP 1 0,31 200 | 32 200 |10 180-310 2 5 <6 1) Ix PNP 1 0,31 200. | 32 200 {10 250-460 2 5 <6 1) BCY 790 | Vil PNP 1 0,31 200 |45 200 10 120-220 2 5 =6 1) Vu PNP 1 0,31 200 |45 200 !|10 180-310 2 5 <6 1) Ix PNP 1 0,31 200 |45 200 |10 250-460 2 5 <6 1) BFX 65 PNP 1 0,32 50 45 - - 170 0,01 [5 <3 1) BSX 45 6 NPN 2 5) 1000 | 40 >50 |50 40-100 100/14 3,5 1) | 10 NPN 2 5*) 1000 | 40 >50 |50 63-160 100 /1 3,5 1) 16 NPN 2 5*) 1000 | 40 >50 |50 100-250 100 1/1 3.5 1) BSX 46 6 NPN 2 5%) 1000 | 60 >50 |50 40~100 100 1/1 3,5 1) 10 NPN 2 5%) 1000 | 60 >50 [50 63-160 100 1 3,5 1) 16 NPN 2 5) 1000 | 60 >50 | 50 100-250 100 ;1 3,5 1) 2N929 NPN 1 0,3) 30 45 =30 (05 40-120 001 {5 =4 0,03-15 2N 930 NPN 1 0,3) 30 45 230 10,5 100-300 0,01 [5 =3 0,03-15 2N1711 NPN 2 0,7 g00 |50) |=70 {50 70-300 5 10 =8 1 2N 1893 NPN 2 0,7 - 100) |=50 |50 40-120 150 1/10 - - 2N 5447 PNP 3 0,25 200 | 25 =100 | 50 60-300 50 5 - - 2N 5448 PNP 3 0,25 200 =|30 =100 | 50 30-150 50 5 - - | 2N 5449 NPN 3 0,3 800 =| 30 = 100 | 50 100-300 100 |2 - - |2N 5450 | NPN 3 0,3 soo =| 30 = 100 | 50 50-150 100 |2 - - Remarks: *) Af = 200 Hz; *) tease = 45C; *) Ion: ) tamb = 25C: ) Ucen: Rpp = 102 Data book reference: B 2 D; Complementary transistors see page 19 O Can be delivered as "Qualified semiconductor device 8325 | a327 rf ! Ojsoors 095 095 1 | 7 I ! F ' e| B 8 = 2,54 95,2 hop 12 42 5,2 5,2 5303 W1 Fig. 3: 10A 3 DIN 41 868 Fig. 4: 10 A3 DIN 41 868 Fig. 5: 23 A 3 DIN 41 869 JEDEC TO 92 Z JEDEC TO 92 2 (SOT 23) 17