Transistors NPN silicium Epitaxiaux NPN silicon transistors Epitaxial *2N706A 2N 753 - Amplification petits signaux Small signal amplification * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features - Commutation rapide faible courant Low current fast switching VcEo 15 V 20-60 2N 706A ho4E (10 mA) 40 - 120 2N 753 Dissipation de puissance maximale f 200 MHz min Maximum power dissipation T . Pro ww O8 06 0.4 (1) 0,2 tamb(C) (1) 50 100 150 200 tcase(C)(2) Boitier TO-18 Case cCJe # Le collecteur est reli au boitier. Collector is connected to case. Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamb= 25C oo, ; Absolute ratings (limiting values) Sau i ndications Gontraires Paramitre BA : : oe 2N 76 NTS | Tension collecteur-base Collector-base voltage VeBo 25 25 Vv Tension collecteur-metteur R = 1 v Collector-emitter voltage BE 9a CER 20 20 Vv Tension collecteur-metteur Vv Collector-emitter voltage CEO 15 15 v Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 5 5 Vv Courant collecteur Collector current Io 50 mA Dissipation de puissance tamb = 25C (1) Prot 0,3 0,3 W Power dissipation toase = 25C (2) 1 1 Temprature de jonction . Junction temperature max. q 175 175 C Temprature de stockage min. t 65 ~ 65 Storage temperature max. stg +175 +4175 Cc Seocesen Socit Europsenne de Semiconducteurs @1 de Microdlectrenaue 1970-07 1/72N 706 A* 2N 753 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications contraires } (Unless otherwise specified} Paramdtre Conditions de mesure Min. | Typ. | Max: : Parameter Test conditions Min. Tyg) Max le =0 0,003] 0,5 | pA Veg = 15V Courant rsiduel collecteur-base le =0 In Collector-base cut-off current V CBO 10 uA cp = 25V 'e = amb 30 A _ 2 Bb Vop = 15V 150C Courant rsiduel collecteur-metteur Ree = 100k lceR 10 A Collector-emitter cut-off current Vee =20V M Courant rsiduel metteur-base Ic =0 I Emitter-base cut-off current Vep=5V EBO 10 HA R = 102 co BE Viarycer| 20 V ; lo = 10 mA Tension de claquage collecteur-metteur Collector-emitter breakdown voltage Ip = x MiBR)cEO| 15 Vv lo = 10 mA Valeur statique du rapport de transfert ! =10mA . direct du courant P c 2N 706 A hoig 20 60 Static forward current transfer ratio Veg =1V 2N 753 40 120 Tension de saturation collecteur-metteur lc = 10 ma Va 015] 06 Vv Cotiector-emitter saturation voltage I =1mA CEsat , B m, Tension de saturation base-metteur Ic = 10mA Va 07 09 Vv Base-emitter saturation voltage Ig = 1mA Besat ' " * impulsions ty =300us 5 < 2% Pulsed 2/7*2N 706A 2N 753 Caractristiques gnrales @ tamh = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smalt signals) Parematra == Gnilitionade mesure | | Min. | typ. | Max. Parameter S Tostconditions =f Min | Tre 1 Mex. le = 10mA 420 Frquence de transition Vac =10V 200 MHz Transition frequency CE ~ 2N 753 450 f= 100 MHz |2N7 Ves = 5V Capacit de sortie _ 9 Output capacitance 'E =0 C226 35 5 pF f = 1 MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics lo = 10mA | Temps total dtablissement (fig. 1) t Turn-on time Igy & 3mA att 12,5 | 40 | ns lo =~ 10mA Temps total de coupure fig. 1 x Turnoft time p (fig. 1) By a 3mA tort 30 75 ns Bo = -TmA rod A ; . lc 10 mA |2Nn 706 A 10 | 25 Retard a la dcroissance (fig. 2) Ig, * 10mA 1, ns forage time Ing 10mA |2N 753 15 | 35 3/72N 706 A* 2N753 Schmas de mesures des temps de commutation Switching times tests circuit Figure 1 . . Oscilloscope & haute impdance High impedance oscilloscope V 5 ks rea vy Ay Gnrateur ' WwW kK, $70 0 Generator S5kQ 0.01 - | 0,01 pF > t # ppt 4 2 = 500 F500 +__potet 4 < Ins 0,1 pF [+ as _3V beta tt Vv a7v BB Von =- 4 i y _ yo / vy ~20V 1 7421V 10 % 9g =, Temps total dtablissement \ Turn-on time Temps total de coupure Turn-off time Figure 2 Oscilloscope 4 haute impdance High impedance oscilloscope 0,1 nF ofA* ogg _ Vy vy 890 2 Gnrateur ~ Na Generator 500 ij 5a0F 2.5 aF 1 F560 Z= 509 5 t} -(l t, < Ins lv = 10 pF 10 pF r lov ba] Signal au point A +6V Signal at point {A 0 0 -4Vv 10 % oN Signal du gnrateur Signal from generator Signal de sortie Output signal oe en 4/7*2N 706A 2N 753 Caractristiques statiques Static characteristics {mesures en impulsions) (pulse tests} 2N 706A 2N 753 'c 0 Vog (V} 1 Vog (Vv) tamb = 25C I, (ma) Ig (ma) a0 80 60 60 40 40 20 20 o 1 2 7. 4 4 . Vog (V) 9 Voz (VI baie 80 60 40 20 1 9, 1 2 5 10 Io (mA) 5/72N 706A * 2N 753 Caractristiques statiques Static characteristics (mesures en impulsions) {pulse tests) 2N 706A / 2N 753 Voesat 1 0.8 06 04 02 0 % oq (ma) v, Veesat 'Y) GNFOCATTSS | BEsat - 04 : : amb = 25C 03 | | - o.2{ 4 the b-t5d0c 0.1 = ye ee 010.2 05 1 2 5 10 20 50 Iq (ma) 6/7*2N 706A 2N 753 Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals} 2N706A tamb = 28C 2N 753 lo (mA) Io (mA) 40 10 5 5 2 2 1 1 O41 0.4 9. Veg (VY) 9. 2N 706A / 2N 753 Coop (PF) le =0 6 4 2 Veg (Y) Caractristiques de commutation Switching characteristics 2N 706A / 2N 753 ty ty ty ty (ns) {ns} 50 50 20 20 "0 = 25c 5 ig (ma}