SM4001 ... SM4007,SM513, SM516, SM518, SM2000
SM4001 ... SM4007,
SM513, SM516, SM518, SM2000
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-10-01
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...2000 V
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
DO-213AB
Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SM4001 50 50
SM4002 100 100
SM4003 200 200
SM4004 400 400
SM4005 600 600
SM4006 800 800
SM4007 1000 1000
SM513 1300 1300
SM516 1600 1600
SM518 1800 1800
SM2000 2000 2000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 75°C
TT = 100°C
IFAV 1 A
0.8 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1)
Peak forward pulse current – Max. zulässiger Stromimpuls, t = 1 ms TA = 85°C IFSM 100 A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 40/44 A 1)
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 8 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
0.5 0.5
5.0 2.5
SM4001 ... SM4007,SM513, SM516, SM518, SM2000
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF< 1.1 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT < 10 K/W
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
[°C]
T
T
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
40a-(1a-1.1v)
10
10
1
10
2
1
-2
10
-1
[µA]
I
R
0V
RRM
40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 125°C
j
T = 100°C
j
T = 75°C
j
T = 50°C
j
15
12
9
6
3
0
[pF]
C
j
Junction capacitance versus reverse voltage
Sperrschichtkapazität in Abh. von der Sperrspg.
Typical values
Typische Werte
T = 25°C
f = 1.0 MHz
V = 50 mV
j
sig p-p