MPSA42 - DIOTEC SEMICONDUCTOR AG - Datasheet.Technology

MPSA42 | MPSA44

High Voltage NPN Transistors

Hochspannungs-NPN-Transistoren

IC= 500 | 300 mA

hFE1 > 40

Tjmax = 150°C

VCEO = 300 | 400 V

Ptot = 625 mW

Version 2017-12-07

TO-92 (10D3)

(1)

(2)

Dimensions - Maße [mm]

Typical Applications

Signal processing,

Switching, Amplification

Commercial grade 1)

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung,

Schalten, Verstärken

Standardausführung 1)

Features

High collector voltage

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Hohe Kollektorspannung

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)

(1) Taped in ammo pack

(Raster 2.54)

(2) On request: in bulk

(Raster 1.27, suffix “BK”)

4000

5000

(1) Gegurtet in Ammo-Pack

(Raster 2.54)

(2) Auf Anfrage: Schüttgut

(Raster 1.27, Suffix “BK”)

Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.

Case material UL 94V-0 Gehäusematerial

Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen

MSL N/A

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

MPSA92

–

Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)

MPSA42 MPSA44

Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 300 V 400 V

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 300 V 500 V

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6 V

Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3)

Collector current – Kollektorstrom DC IC500 mA 300 mA

Base current – Basisstrom IB100 mA –

Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj-55...+150°C

Characteristics Kennwerte

Tj = 25°C MPSA42 MPSA44

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

IE = 0 VCB = 200 V

VCB = 400 V ICBO

< 100 nA

–

< 100 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

IB = 0 VEB = 6 V

VEB = 4 V IEBO

< 100 nA

–

< 100 nA

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 x 1.27

EB C

4.6

±0.1

4.6

±0.1

min 12.5

23.5

2 x 2.54

E B C

MPSA42 | MPSA44

Characteristics Kennwerte

Tj = 25°C MPSA42 MPSA44

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1)

IC = 1 mA IB = 0.1 mA

IC = 10 mA IB = 1 mA

IC = 20 mA IB = 2 mA

IC = 50 mA IB = 5 mA

VCEsat

–

< 500 mV

–

< 400 mV

< 500 mV

–

< 750 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1)

IC = 20 mA IB = 2 mA

IC = 10 mA IB = 1 mA VBEsat

< 900 mV

–

< 750 mV

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

VCE = 10 V IC = 1 mA

IC = 10 mA

IC = 30 mA

IC = 50 mA

IC = 100 mA

hFE

> 25

> 40

–

> 40

–

> 40

> 50

typ. 200

–

> 45

> 40

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz fT> 50 MHz –

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz CCBO < 3 pF < 7 pF

Thermal resistance junction – ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

[%]

tot

120

100

[°C]

150100

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )