MPSA42 | MPSA44 MPSA42 | MPSA44 IC = 500 | 300 mA hFE1 > 40 Tjmax = 150C High Voltage NPN Transistors Hochspannungs-NPN-Transistoren VCEO = 300 | 400 V Ptot = 625 mW Version 2017-12-07 23.5 16 (1) Features High collector voltage Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstarken Standardausfuhrung 1) RoHS Pb EE WE 18 9 E BC Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) EL V TO-92 (10D3) Mechanical Data 1) 2 x 2.54 4.6 0.1 E BC min 12.5 4.60.1 (2) (1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) (2) On request: in bulk (Raster 1.27, suffix "BK") Weight approx. Besonderheiten Hohe Kollektorspannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) 4000 5000 (1) Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) (2) Auf Anfrage: Schuttgut (Raster 1.27, Suffix "BK") 0.18 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL N/A 2 x 1.27 Dimensions - Mae [mm] Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementare PNP-Transistoren MPSA92 - Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MPSA42 MPSA44 Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 300 V 400 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 300 V 500 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Ptot 625 mW 3) Power dissipation - Verlustleistung Collector current - Kollektorstrom DC IC 500 mA 300 mA Base current - Basisstrom IB 100 mA - Junction temperature - Sperrschichttemperatur Tj -55...+150C Characteristics Kennwerte Tj = 25C MPSA42 MPSA44 ICBO < 100 nA - - < 100 nA IEBO < 100 nA - - < 100 nA Collector-Base cutoff current - Kollektorreststrom IE = 0 VCB = 200 V VCB = 400 V Emitter-Base cutoff current - Emitterreststrom IB = 0 1 2 3 VEB = 6 V VEB = 4 V Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C, unless otherwise specified - TA = 25C, wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 2 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MPSA42 | MPSA44 Characteristics Kennwerte Tj = 25C MPSA42 MPSA44 VCEsat - - < 500 mV - < 400 mV < 500 mV - < 750 mV VBEsat < 900 mV - - < 750 mV hFE > 25 > 40 - > 40 - - > 40 > 50 typ. 200 - > 45 > 40 fT > 50 MHz - CCBO < 3 pF < 7 pF 1 Collector saturation voltage - Kollektor-Sattigungsspannung ) IC = IC = IC = IC = 1 mA 10 mA 20 mA 50 mA IB IB IB IB = = = = 0.1 mA 1 mA 2 mA 5 mA Base saturation voltage - Basis-Sattigungsspannung 1) IC = 20 mA IC = 10 mA IB = 2 mA IB = 1 mA DC current gain - Kollektor-Basis-Stromverhaltnis VCE = 10 V IC = IC = IC = IC = IC = IC = 1 mA 10 mA 10 mA 30 mA 50 mA 100 mA Gain-Bandwidth Product - Transitfrequenz VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance - Kollektor-Basis-Kapazitat VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction - ambient Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthA < 200 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% - Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 2 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG