Transistor NPN silicium Homobase NPWN silicon transistor Homobase *2N 3055S - Amplification BF grands signaux de puissance LF large signal amplification * Dispositif recommand Pretered device Donnes principales Principal features - Commutation fort courant High current switching Catgorie climatique 55 / 125/56 Climatic class VCEO 60 V Ic 15A Ptot 117 W Rth (j-c) 15C/Wmax. Dissipation de puissance maximale h21e(4 A} 20-70 Maximum power dissipation fr 0,8 MHz min. Prot ag: (w) Boitier TO-3 150 Case NZ : 100}--} 50} 4 DN 0 ! tease(C} 9 50, 100, 150-200 Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation 4t,..,= 25C ee case Absolute ratings (limiting values) Paramitre Parsinater Veg =-15V Voex 100 Vv Tension collecteur-metteur =1002 Vv Collector-emitter voltage Ree o CER 70 v Vceo 60 Vv Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO ? Vv Courant collecteur I Collector current c 18 A Courant base ! Base current B 7 A Dissipation de puissance P. Power dissipation tot 117 w Temprature de stockage t Storage temperature max. stg +200 c ef. Ses@meenn 1970 - 08 - 1/32N 3055 S* Caractristiques gnrales 4 tease = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics ( Saut indications contraires) {Unless otherwise specified) Paremtre Conditions de masure Min. | Typ. | Max. Parameter Test conditions Min | Type) Max. VeE= -1,5V Vop= 100 V 5 Vpe= 15V Icex Courant rsiduel collecteur-metteur Vo_e= 100 V 30 Colector-emitter cut-off current t = 150C case mA I =0 8 lo Vog= 30V CEO 07 . i =0 Courant rsiduel metteur-base c I Emitter-base cut-off current Vege 7V EBO 5 ma Ree= 1002 Vv * . . I, =02A (BR)CER] 70 Tension de claquage collecteur-metteur Cc Th Vv Collector-emitter breakdown voltage Ip =0 * le =02A M(BR)ceo| 60 fo ~ ic =4A Vce=4V 20 70 Valeur statique d rt du transfert Ic = 104 * aleur statique du rapport du transfer direct ducourant. Voe=4V hate 5 Static forward current transfer ratio Io = 4A Vce= 4V 10 toase= 795C Tension base-metteur Ic =4A Vee* 18 Vv Base-emitter voltage Vop=4V B le =4A . : Ig =04A * 1,1 Tension de saturation collecteur-emetteur Voce t Collector-emitter saturation voltage Io =10A Sa v Ip =3,3A 26 Tension de saturation base-metteur Ip =10A Vee * 4 Vv Base-emitter saturation voltage Ip =33A BEsat ae . * ; _ Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Impulsions t,=300us 5 < 2% Dynamic characteristics (far small signals} Pulsed ~ f = 1kHz Rapport de transfert direct du courant Forward current transfer ratio Ic =1A hate 15 120 VcE= 4v Io FIA Frquence de transition Varp=10V f er CE T 0,8 MHz Transition frequency f = 0,5 MHz 2/3*2N 3055 S Caractristiques gnrales 4 tease= 25C General characteristics Caractristiques thermiques Thermal characteristics Power dissipation Parametre Conditions de mesure Min..| Typ. | Max. Parameter Tost coaditions Min. Typ. Max. Rsistance thermique, jonction-boitier RR, Thermal resistance, junction to case th (j-c) 1,5 ocw Dissipation de puissance Ip =-3A Veg=39V tease 28C ty =1s Aire de fonctionnement de scurit Safe operating area Ig (A) 50 20 Continu (e_ Continuous Impulsion ( -----= } Pulsed 1 2 5 10 20 39 5060 Vo_ 'V) 3/3