)Valid, if the temp. of the stud is kept to 100°C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100°C gehalten wird
1
52 01.01.99
Diotec 1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673
PBY 271 ... PBY 277
Silicon-Power Rectifiers Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom 12 A
Repetitive peak reverse voltage 50...1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case – Metallgehäuse DO-4
Weight approx. – Gewicht ca. 5.5 g
Recommended mounting torque 18 ± 10% lb.in.
Empfohlenes Anzugsdrehmoment 2 ± 10% Nm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde
Dimensions / Maße in mm Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R)
Maximum ratings Grenzwerte
Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Typ Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung
V [V] V [V]
RRM RSM
1N 1199 A PBY 271 50 60
1N 1200 A PBY 272 100 120
1N 1202 A PBY 273 200 240
1N 1204 A PBY 274 400 480
1N 1206 A PBY 275 600 720
1N 3671 PBY 276 800 1000
1N 3673 PBY 277 1000 1200
Max. average forward rectified current, R-load T = 100°C I12 A )
CFAV 1
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I40 A )
FRM 1
Periodischer Spitzenstrom
Rating for fusing, t < 10 ms T = 25°C it240 A s
A2 2
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Peak fwd. half sine-wave surge current, T = 25°C f = 60 Hz I240 A
AFSM
superimposed on rated load T = 25°C f = 50 Hz I220 A
AFSM
Stoßstrom für eine Sinus-Halbwelle,
überlagert bei Nennlast
53
01.01.99
Diotec
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673
PBY 271 ... PBY 277
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T– 65…+175°C
j
Storage temperature – Lagerungstemperatur T– 65…+175°C
S
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T = 25°C I = 30 A V< 1.5 V
jF F
Durchlaßspannung
Leakage current T = 25°C V = V I< 100 µA
jRRRM R
Sperrstrom
Thermal resistance junction to stud R< 2 K/W
thC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
