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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T2810N
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A
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enndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj = -40 °C... Tvj max V
DRM,VRRM 1600
1800
2000
2200
V
V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40 °C... Tvj max V
DSM 1600
1800
2000
2200
V
V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25 °C... Tvj max V
RSM 1700
1900
2100
2300
V
V
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM 5800 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
ITAVM 2810 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM 4070 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
TRMS 6390 A
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM 58000
50000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 16820
12500
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs (diT/dt)cr 200 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
(dvD/dt)cr 1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max, iT = 11 kA
Tvj = Tvj max, iT = 3 kA
vT
max.
max.
2,13
1,25
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) 0,90 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T 0,112 mΩ
Durchlasskennlinie 700 A ≤ iT ≤ 14100 A
on-state characteristic
T
TTT iD1)i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
Tvj = Tvj max A=
B=
C=
D=
9,473E-01
6,789E-05
-4,228E-02
7,908E-03
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 300 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
IGD max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM V
GD max. 0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL max. 1500 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR max. 250 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tgd max. 4 µs
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Phase Control Thyristor
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
tq typ. 300 µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0085
0,0078
0,0152
0,0146
0,0183
0,0169
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseiti
g
/ sin
g
le-sides
RthCH
max.
max.
0,0025
0,0050
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F 42...95 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5
Ø 1,5
A 4,8x0,5
mm
mm
mm
Gewicht
weight
G typ. 1200 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
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Massbild
12
4 5
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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R,t – Werte
Diagramme
Diagramme
Trans. Wärmewid. beidseitig
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,00003 0,00039 0,00123 0,0028 0,00338 - -
beidseitig
two-sided τn [s] 0,00006 0,00392 0,01520 0,2068 1,09140 - -
Rthn [°C/W] 0,00001 0,00037 0,00190 0,0013 0,00434 0,00668 -
anodenseitig
anode-sided τn [s] 0,00001 0,00182 0,00951 0,1350 0,34700 1,54000 -
Rthn [°C/W] 0,00003 0,00073 0,00302 0,00802 0,0051 - -
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 0,00004 0,00341 0,02150 0,13500 1,1100 - -
Analytische Funktion / Analytical function: Σ
−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
b
c
a
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
0,012
0,014
0,016
0,018
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
ZthJC [°C/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Durchlasskennlinie
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W] 0,00084 0,00130 0,00161 0,00201 0,00259
beidseitig
two-sided ∆Zth Θ sin
[°C/W] 0,00069 0,00093 0,00120 0,00156 0,00208
∆Zth Θ rec
[°C/W] 0,00143 0,00228 0,00288 0,00371 0,00492
anodenseitig
anode-sided ∆Zth Θ sin
[°C/W] 0,00112 0,00154 0,00208 0,00289 0,00425
∆Zth Θ rec
[°C/W] 0,00170 0,00261 0,00322 0,00399 0,00506
kathodenseitig
cathode-sided ∆Zth Θ sin
[°C/W] 0,00144 0,00191 0,00246 0,00321 0,00430
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
Tvj = Tvj max
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
0,8 1 1,21,41,61,8 2 2,22,42,6
vT [V]
iT [A]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Durchlassverluste 180°
120°
90°
60°
θ = 30°
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
ITAV [A]
PTAV [W]
0°
0
180°
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
180°
120°
90°
60°
θ = 30°
20
40
60
80
100
120
140
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
ITAV [A]
TC [°C]
0°
0
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Tc DC
θ = 30°
180°
60°
120°
90°
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
ITAV
[A]
PTAV [W]
0°
0
180°
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
DC
180°
120°
90°
60°
θ = 30°
20
40
60
80
100
120
140
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
ITAV [A]
TC [°C]
0°
0
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Steuerkennlinie
Zündverzug
0,1
1
10
100
10 100 1000 10000
iG [mA]
vG [V]
Tvj =
+125°C
Tvj = -40 °C
Tvj = +25°C
a
b
c
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
1000
10000
100000
1 10 100
-di/dt [A/µs]
Qr [µAs]
iTM = 4000A
100A
200A
500A
1000A
2000A
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
10
20
30
40
50
60
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
IT(OV)M [kA]
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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