Transistors NPN silicium Homohase NPN silicon transistors Homobase *2N 3441 *BDY 72 Amplification BF grands signaux de puissance LF large signal power amplification Commutation fort courant High current switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot (w) 30 PIN 20 N\ * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features V 140 V ON 3441 CEO 120 V BDY 72 Ic 3A Prot 25 W Rth (j-c) 7CiW max. hie {20-80 2N 3441 (0,5 A) (60 -180 BDY 72 fr 0,8 MHz min, ~~ awcy> Boitier TO-66 Case 1 = Hl NS NS 0 50 100 150200 tegse (C) Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation @ tease = 25C Absolute ratings (limiting values} Parambtre Perimeter 2N 3441 BOY 72 Tension collecteur-base Collector-base voltage Vego 160 150 Vv Tension cotlecteur-metteur _ Collector-em itter voltage Vee =-15V Voex 160 150 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Ree = 100 2 VceR 150 130 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEO 140 120 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 7 7 Vv Courant collecteur Collector current lo 3 3 A Courant base Base current tp 2 2 A Dissipation de puissance Power dissipation Prot 25 25 w Temprature de jonction Junction temperature max. yj 200 200 c Temprature de stockage min t - 65 65 c Storage temperature max stg +200 +200 af Seomsent 1970/03 1/32N 3441 * BDY 72* Caractristiques gnrales a tease = 25C General characteristics (Sauf indications contraires) (Unless otherwise specified) Caractristiques statiques Static characteristics win | tye. | mon, : ve Min. | Typ | Mar. Vag =15V_ BE ' 2N 3441 1 Voge = 140V v =-15V vee gov. | BOY 72 1 Courant rsiduel collecteur-metteur cE I Collector-emitter cut-off current Vee 15V)t CEX Bev case | 9N 3441 5 Vag = 140 V (150C CE Voce =-15V} t BET S88? | BDY 72 5 MVce = 130 V4 150C Courant rsiduel metteur-base Ig =0 | 1 Emitter-base cut-off current Ves =7V EBO N 160 Vag =-15V 2N 3441 y lg =0,1A {BR)CEX BDY 72 150 R = 1002 2N 3441 150 Tension de claquage collecteur-metteur BE ~ Vv, * Collector-emitter breakdown voltage lo = O1A (BR)CER BDY 72 130 1 _ 2N 3441 140 B 7 * Vv Ig =0,1A (BR}CEO BDY 72 120 _ 2N 3441 20 80 Valeur statique du rapport de transfert Io =5,5A direct du courant hog Static forward current transfer ratio Voce =4v BDY 72 60 180 Tension base-metteur Ig =05A Vv 17 Base-emitter voltage Voce =4V BE ' Tension de saturation collecteur-metteur lc = 0,5 A v 1 Collector-emitter saturation voltage Ip = 0,05 A CEsat * impulsions t._=300us 6 < 2% Pulsed e 2/3* 2N 3441 *BDY 72 Caractristiques gnrales a tease = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux} Dynamic characteristics (for small signals) | Min. | Typ. | Max. Mine: Tp. Max. 1 = Frquence de transition c Transition frequency Voe = 10V BDY 72 fy 0,8 MHz Caractristiques thermiques Thermal characteristics Rsistance thermique, jonction-boitier Thermal resistance. Meinetion to case Reh (j-c) ? c Aire de fonctionnement de scurit 2N 3441 Safe operating area Ig (A) 0,5 0,2 0,1 Continu =(_ ) Continuous Impulsion (~2s2= Pulsed 2 5 10 20 50 100 140 200 500 Vog (V) W3