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General Purpose Transistors
General Purpose Transistors ᄰྯ FHT807-16/25/40
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DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 SOT-23
Excellent hFE Linearity hFE 線性特性極好
PIN ASSIGNMENT 引腳說明
PIN NUMBER 引腳序號
PIN NAME
管腳符號 SOT-23 FUNCTION
功能
B 1 BASE
E 2 EMITTER
C 3 COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位
Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -45 Vdc
Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO -50 Vdc
Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 Vdc
Collector Current—Continuous 集電極電流-連續 IC -500 mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1) (TA=25℃ 環境溫度=25℃) 225 mW
Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD 1.8 mW/℃
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 R JA 556 ℃/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate,(2) TA=25℃
總耗散功率 氧化鋁襯底 300 mW
Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD 2.4 mW/℃
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 R J A 417 ℃/W
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度 Tj,
Tstg 150,
-55 ~150 ℃
DEVICE MARKING 打標
FHT807-16=5A(100~250),FHT807-25=5B(160~400),FHT807-40=5C(250~600)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度為 25℃)
Characteristic 特性參數 Symbol
符號 Test Condition
測試條件 Min
最小值 Type
典型值 Max
最大值 Unit
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流 ICBO VCB =-20Vdc — -100 nAdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (3)
集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO Ic=-10 mAdc,
IB=0 -45 — — Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO Ic=-10μAdc, IE=0 -50 — — Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE=-1.0μAdc,
IC=0 -5.0 — — Vdc
hFE(1) Ic=-100mAdc,
VCE=-1.0Vdc 100 — 600 —
DC Current Gain
直流電流增益 hFE(2) Ic=-500mAdc,
VCE=-1.0Vdc 40 — — —
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降 V CE(sat) Ic=-500mAdc,
IB=-50mAdc — — -0.7 Vdc