Ø 4 ± 0.5
SW17
M6
)Valid, if the temp. of the stud is kept to 100°C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100°C gehalten wird
1
54 01.01.99
Diotec 1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768
PBY 301 ... PBY 307
Silicon-Power Rectifiers Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom 35 A
Repetitive peak reverse voltage 50...1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Metal case – Metallgehäuse DO-5
Weight approx. – Gewicht ca. 6 g
Recommended mounting torque 26 ± 10% lb.in.
Empfohlenes Anzugsdrehmoment 3 ± 10% Nm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde
Dimensions / Maße in mm Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1183 R)
Maximum ratings Grenzwerte
Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Typ Periodische Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspannung
V [V] V [V]
RRM RSM
1N 1183 PBY 301 50 60
1N 1184 PBY 302 100 120
1N 1186 PBY 303 200 240
1N 1188 PBY 304 400 480
1N 1190 PBY 305 600 720
1N 3766 PBY 306 800 1000
1N 3768 PBY 307 1000 1200
Max. average forward rectified current, R-load T = 100°C I35 A )
CFAV 1
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I80 A )
FRM 1
Periodischer Spitzenstrom
Rating for fusing, t < 10 ms T = 25°C it1000 A s
A2 2
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Peak fwd. half sine-wave surge current, T = 25°C f = 60 Hz I500 A
AFSM
superimposed on rated load f = 50 Hz I450 A
FSM
Stoßstrom für eine Sinus-Halbwelle,
überlagert bei Nennlast
55
01.01.99
Diotec
1N 1183 ... 1N 1190, 1N 3766, 1N 3768
PBY 301 ... PBY 307
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T– 65…+175°C
j
Storage temperature – Lagerungstemperatur T– 65…+175°C
S
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T = 25°C I = 100 A V< 1.5 V
jF F
Durchlaßspannung
Leakage current T = 25°C V = V I< 500 µA
jRRRM R
Sperrstrom
Thermal resistance junction to stud R< 1 K/W
thC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
